Анализатор мощных полупроводниковых приборов для разработки схем B1506A
– Измерение всех параметров, получаемых из ВАХ (сопротивление в открытом состоянии Ron, напряжение пробоя BV, ток утечки, пороговое напряжение Vth, напряжение насыщения Vsat и др.)
– Измерение входной, выходной и проходной ёмкостей транзистора, а также ёмкостей между электродами транзистора в различных сочетаниях (Ciss, Coss, Crss, Cies, Coes, Cres) при высоких напряжениях смещения
– Измерение сопротивления затвора Rg
– Измерение характеристик заряда области затвора Qg
– Измерение потерь мощности (потери проводимости, потери в цепях управления, потери на переключение)
– Удобство использования, полностью автоматизированные измерения
– Режим определения технических данных обеспечивает быстрое и удобное определение параметров, входящих в перечень технических характеристик
– Тестирование в широком диапазоне значений напряжений и силы тока (до 3 кВ и до 1500 А) и температуры (от –50°C до +250°C)
– Режим осциллографа для обеспечения визуального контроля импульсных сигналов тока и напряжения, подаваемых на тестируемое устройство
B1506A имеет в своём составе базовый блок, тестовое устройство подключения, соединительные кабели и управляющее программное обеспечение.
Анализатор мощных полупроводниковых приборов B1506A для разработки схем представляет собой законченное техническое решение для разработчиков схем силовой электроники. Анализатор позволяет определять все параметры силовых устройств в широком диапазоне рабочих условий, в том числе параметры, получаемые из вольтамперных храктеристик (ВАХ), такие как напряжение пробоя, сопротивление в открытом состоянии, а также характеристики ёмкостей между электродами полевого транзистора, заряда области затвора и потерь мощности.
Анализатор B1506A имеет широкий диапазон функциональных возможностей, которые помогают идентифицировать устройства, не соответствующие техническим требованиям, при их тестировании в реальных рабочих условиях, включающих широкий диапазон значений напряжения и силы тока (до 3 кВ и до 1500 А), широкий температурный диапазон измерения (от –50 до +250°C), возможность измерения в импульсных режимах и возможность измерения токов низкого уровня, составляющих доли наноампер. Уникальный программный интерфейс прибора представляет пользователю результаты измерений в привычном формате технических данных, что упрощает определение характеристик тестируемых устройств без прохождения предварительного обучения. Схема коммутации, встроенная в тестовое устройство подключения, поддерживает полностью автоматизированные испытания с возможностью автоматического переключения между тестированием с использованием высоких значений напряжения или силы тока, а также между измерениями вольт-амперных (ВАХ) или вольт-фарадных (ВФХ) характеристик. Кроме того, уникальная конструкция, предусматривающая установку тестируемого устройства в сменный модуль, который вставляется непосредственно в гнёзда тестового устройства подключения, исключает кабельные соединения, что позволяет избежать ошибок оператора. Анализатор B1506A также обеспечивает полную автоматизацию определения параметров тестируемого устройства в заданном диапазоне температур. Это достигается за счёт поддержки систем управления температурой компании inTEST. Устройство Thermal Plate, обеспечивающее диапазон температур до +250°C, устанавливается внутри тестового устройства подключения. B1506A работает также с системой Thermostream, обеспечивающей диапазон температур от –50 до +220°C. Так как тестируемое устройство находится в непосредственной близости от измерительных портов B1506A, паразитные составляющие, вносимые длинными кабелями, которые используются для подключения к камере тепла и холода, отсутствуют. Благодаря этому обеспечивается возможность определения параметров тестируемого устройства при очень больших значениях силы тока (вплоть до 1500 А) без паразитных колебаний как при низких, так и высоких температурах.
Широкие возможности анализатора B1506A позволяют коренным образом изменить процесс разработки устройств силовой электроники, помогая максимально повысить ценность конечных продуктов и ускорить циклы их разработки.
Основные технические характеристики
| B1506A-H20/H21 | B1506A-H50/H51 | B1506A-H70/H71 | |
| Канал коллектора/стока | |||
Макс. выходные параметры источника | |||
Напряжение | ±3000 В | ±3000 В | ±3000 В |
Сила тока | |||
В режиме постоянного тока | ±1 A | ±100 мA | ±100 мA |
В импульсном режиме | ±20 A | ±500 A | ±1500 A |
Минимальное разрешение | |||
Напряжение | 200 нВ | 25 мкВ | 25 мкВ |
Сила тока | 100 фA | 100 фA | 100 фA |
Измеритель | |||
Минимальное разрешение | |||
Напряжение | 0,5 мкВ | 0,5 мкВ | 0,5 мкВ |
Сила тока | 10 фA | 10 фA | 10 фA |
| Канал затвора | |||
Макс. выходные параметры источника | |||
Напряжение | ±100 В | ±100 В | ±100 В |
Сила тока | |||
В режиме постоянного тока | ±100 мA | ±100 мA | ±100 мA |
В импульсном режиме | ±1 A | ±1 A | ±1 A |
Минимальное разрешение | |||
Напряжение | 25 мкВ | 25 мкВ | 25 мкВ |
Сила тока | 50 фA | 50 фA | 50 фA |
Измеритель | |||
Минимальное разрешение | |||
Напряжение | 0,5 мкВ | 0,5 мкВ | 0,5 мкВ |
Сила тока | 10 фA | 10 фA | 10 фA |
| Измерение ёмкостных характеристик (только H21/H51/H71) | |||
Макс. смещение | |||
Затвор | ±100 В | ±100 В | ±100 В |
Коллектор/сток | ±3000 В | ±3000 В | ±3000 В |
Диапазон частот | От 1 кГц до 1 МГц | ||
Диапазон значений ёмкости | От 100 фФ до 1 мкФ |
Измеряемые параметры
| Характеристики | Категория | Параметры |
| Статические характеристики | Пороговое напряжение | V(th), Vge(th) |
| Передаточные характеристики | Id-Vgs, Ic-Vge, gfs | |
| Сопротивление в откр. состоянии | Rds-on, Vce(sat) | |
| Ток утечки затвора | lgss, Iges | |
| Выходной ток утечки | Idss, Ices | |
| Выходные характеристики | Id-Vds, Ic-Vce | |
| Напряжение пробоя | BVds, BVces | |
| Характеристики заряда области затвора | Заряд области затвора | Qg, Qg(th), Qgs, Qgd, Qsw, Qsync,Qoss |
| Ёмкостные характеристики | Сопротивление затвора | Rg |
| Ёмкости устройства | Ciss, Coss, Crss, Cgs,
Cgd, Cies, Coes, Cres | |
| Потери мощности | Потери в цепях управления/потери на переключение | |
| Потери проводимости при
заданном коэффициенте
заполнения |
